TWI429592B | 合法藥品大搜索
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本發明係有關:可使用於各種添加劑、電子材料、螢光體原料、觸媒材料、各種標靶材(濺鍍靶材料)...當使用該製造方法時,需要做為原料之氫氧化鎂高純度化。
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本發明係有關:可使用於各種添加劑、電子材料、螢光體原料、觸媒材料、各種標靶材(濺鍍靶材料)原料、超導薄膜基底用之原料、穿隧磁阻元件(TMR元件,Tunnel Magnetic Resistance)用之穿隧障壁原料、電漿顯示面板(PDP)用之保護膜原料、或進一步使用於PDP用結晶氧化鎂層之原料等,可在維持高純度之狀態下保存,並可供給之高純度氧化鎂粒子聚集物及其製造方法。
氧化鎂(以下,有時稱為「MgO」)係一直以來在耐火物還有電子材料和觸媒等各種領域中使用。例如:在利用放電發光現象之電漿顯示面板(以下,有時稱為「PDP」)中,以玻璃介電體覆蓋透明電極之構造的交流型(AC型)PDP,為了防止因離子衝擊之濺鍍使介電體層表面變質而提升放電電壓,一般於介電體層上雖形成有保護膜,但一直以來使用MgO膜作為此保護膜。由於要求保護膜具有低放電壓且耐濺鍍性優良,經由將耐濺鍍性優良且二次電子之放出係數大之絕緣體MgO做為保護膜使用,故可降低放電起始電壓。如此,MgO膜係有助於延長PDP之壽命。
以往,PDP用MgO蒸鍍材主要是使用MgO單晶粉碎物。然而,隨著PDP之高性能化,PDP製造商所要求之技術水準也升高,而期望PDP蒸鍍材也進一步改良,因此,逐漸轉移往將添加物元素量易調整之高純度多晶MgO粒 子燒結之燒結體。此外,在PDP以外之電子材料、螢光體原料、觸媒材料、各種標靶材原料、超導薄膜基底用之原料、穿隧磁阻元件(TMR元件)用之穿隧障壁原料等或觸媒方面,對於高純度之MgO材料之要求也都在提升。
用以得到高純度之氧化鎂之技術,例如是在專利文獻1(日本特開昭61-209911號公報)中,記載有高純度氧化鎂之製造方法。在其中記載有,特徵為將含有鎂之粗原料以無機酸(mineral acid)溶解而得到鎂之無機酸鹽之粗製液,並在此粗製液中添加鹼將粗原料中之不純物沉澱去除而得到鎂之無機酸鹽後,在此精製液中添加鹼至pH達10以上,並將鹼添加液在120℃以上之溫度進行水熱處理後,生成由鎂之氫氧化物與硫酸化物之複鹽組成之鎂化合物,並將鎂化合物水洗、脫水後,將該脫水物以1000℃以上之溫度過熱而組成之氧化鎂之製造...
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【氫氧化鎂濕的乳膠體】制酸劑
藥品名稱:氫氧化鎂濕的乳膠體許可證字號:衛署藥輸字第018452號許可證種類:原料藥適應症:制酸劑劑型:藥品類別:自用製劑原料主...